Unter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen (wie nasschemisches Ätzen, chemisch-mechanisches Polieren) basieren. Der Materialabtrag (z. B. von Siliciumdioxid auf Silizium-Wafern) erfolgt dabei entweder durch beschleunigte Teilchen (z. B. Argonionen) oder mithilfe plasmaaktivierter Gase. Es werden also je nach Verfahren chemische sowie physikalische Effekte ausgenutzt.

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  • Unter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen (wie nasschemisches Ätzen, chemisch-mechanisches Polieren) basieren. Der Materialabtrag (z. B. von Siliciumdioxid auf Silizium-Wafern) erfolgt dabei entweder durch beschleunigte Teilchen (z. B. Argonionen) oder mithilfe plasmaaktivierter Gase. Es werden also je nach Verfahren chemische sowie physikalische Effekte ausgenutzt. (de)
  • Unter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen (wie nasschemisches Ätzen, chemisch-mechanisches Polieren) basieren. Der Materialabtrag (z. B. von Siliciumdioxid auf Silizium-Wafern) erfolgt dabei entweder durch beschleunigte Teilchen (z. B. Argonionen) oder mithilfe plasmaaktivierter Gase. Es werden also je nach Verfahren chemische sowie physikalische Effekte ausgenutzt. (de)
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  • 0-47145238-6
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  • Fundamentals of Semiconductor Fabrication (de)
  • Technology of Integrated Circuits (de)
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  • Dietrich Widmann, Hermann Mader, Hans Friedrich
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  • Springer
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  • Unter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen (wie nasschemisches Ätzen, chemisch-mechanisches Polieren) basieren. Der Materialabtrag (z. B. von Siliciumdioxid auf Silizium-Wafern) erfolgt dabei entweder durch beschleunigte Teilchen (z. B. Argonionen) oder mithilfe plasmaaktivierter Gase. Es werden also je nach Verfahren chemische sowie physikalische Effekte ausgenutzt. (de)
  • Unter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen (wie nasschemisches Ätzen, chemisch-mechanisches Polieren) basieren. Der Materialabtrag (z. B. von Siliciumdioxid auf Silizium-Wafern) erfolgt dabei entweder durch beschleunigte Teilchen (z. B. Argonionen) oder mithilfe plasmaaktivierter Gase. Es werden also je nach Verfahren chemische sowie physikalische Effekte ausgenutzt. (de)
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  • Trockenätzen (de)
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