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- Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid aufgebracht wird. Es wird unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Beschichtungsprozess basiert auf einer chemischen Reaktion von Sauerstoff und Silizium bei Temperaturen über 1100 °C. Bei sehr kurzen Prozesszeiten nennt man das Verfahren auch „Rapid Thermal Oxidation“ (RTO, dt.: schnelle thermische Oxidation), das zur Erzeugung von sehr dünnen Oxidschichten (< 2 nm) dient. Ein ähnliches Verfahren ist die Erzeugung einer thermischen Siliziumnitrid-Schicht auf einem Siliziumsubstrat bei hohen Temperaturen. (de)
- Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid aufgebracht wird. Es wird unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Beschichtungsprozess basiert auf einer chemischen Reaktion von Sauerstoff und Silizium bei Temperaturen über 1100 °C. Bei sehr kurzen Prozesszeiten nennt man das Verfahren auch „Rapid Thermal Oxidation“ (RTO, dt.: schnelle thermische Oxidation), das zur Erzeugung von sehr dünnen Oxidschichten (< 2 nm) dient. Ein ähnliches Verfahren ist die Erzeugung einer thermischen Siliziumnitrid-Schicht auf einem Siliziumsubstrat bei hohen Temperaturen. (de)
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- 3-8351-0245-1
- 0-201-44494-1
- 0-470-85106-6
- 0-8493-0826-7
- 3-446-40686-7
- 3-540-62131-8
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- Silizium-Halbleitertechnologie: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik (de)
- Lexikon Elektronik und Mikroelektronik (de)
- Introduction to microfabrication (de)
- Fundamentals of microfabrication (de)
- Introduction to Microelectronic Fabrication (de)
- Grundlagen integrierter Schaltungen: Bauelemente und Mikrostrukturierung (de)
- Silizium-Halbleitertechnologie: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik (de)
- Lexikon Elektronik und Mikroelektronik (de)
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- Fundamentals of microfabrication (de)
- Introduction to Microelectronic Fabrication (de)
- Grundlagen integrierter Schaltungen: Bauelemente und Mikrostrukturierung (de)
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| prop-de:autor
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- Ulrich Hilleringmann
- Sami Franssila
- Dieter Sautter, Hans Weinerth
- Jan Albers
- Marc J. Madou
- Richard C. Jaeger
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- Kapitel: Die thermische Oxidation von Silizium
- Kapitel: Thermal Oxidation of Silicon
- Kapitel: Thermische Oxidation
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- CRC Press
- Hanser Fachbuchverlag
- John Wiley and Sons
- Prentice Hall
- Springer
- Vieweg+Teubner
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- 131–134
- 84–93
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- Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid aufgebracht wird. Es wird unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Beschichtungsprozess basiert auf einer chemischen Reaktion von Sauerstoff und Silizium bei Temperaturen über 1100 °C. Bei sehr kurzen Prozesszeiten nennt man das Verfahren auch „Rapid Thermal Oxidation“ (RTO, dt.: schnelle thermische Oxidation), das zur Erzeugung von sehr dünnen Oxidschichten (< 2 nm) dient. Ein ähnliches Verfahren ist die Erzeugung einer thermischen Siliziumnitrid-Schicht auf einem Siliziumsubstrat bei hohen Temperaturen. (de)
- Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid aufgebracht wird. Es wird unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Beschichtungsprozess basiert auf einer chemischen Reaktion von Sauerstoff und Silizium bei Temperaturen über 1100 °C. Bei sehr kurzen Prozesszeiten nennt man das Verfahren auch „Rapid Thermal Oxidation“ (RTO, dt.: schnelle thermische Oxidation), das zur Erzeugung von sehr dünnen Oxidschichten (< 2 nm) dient. Ein ähnliches Verfahren ist die Erzeugung einer thermischen Siliziumnitrid-Schicht auf einem Siliziumsubstrat bei hohen Temperaturen. (de)
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- Thermische Oxidation von Silizium (de)
- Thermische Oxidation von Silizium (de)
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