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- Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (englisch metal-organic chemical vapour deposition oder metallo-organic chemical vapour deposition, MOCVD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei dem die Abscheidung einer festen Schicht aus der chemischen Dampfphase eines metallorganischem Präkursors (Vorgängermolekül) erfolgt. (de)
- Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (englisch metal-organic chemical vapour deposition oder metallo-organic chemical vapour deposition, MOCVD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei dem die Abscheidung einer festen Schicht aus der chemischen Dampfphase eines metallorganischem Präkursors (Vorgängermolekül) erfolgt. (de)
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- Handbook of chemical vapor depostion (CVD): principles, technology, and applications (de)
- Handbook of chemical vapor depostion (CVD): principles, technology, and applications (de)
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- Abschnitt: Metallo-Organic CVD
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- Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (englisch metal-organic chemical vapour deposition oder metallo-organic chemical vapour deposition, MOCVD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei dem die Abscheidung einer festen Schicht aus der chemischen Dampfphase eines metallorganischem Präkursors (Vorgängermolekül) erfolgt. (de)
- Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (englisch metal-organic chemical vapour deposition oder metallo-organic chemical vapour deposition, MOCVD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei dem die Abscheidung einer festen Schicht aus der chemischen Dampfphase eines metallorganischem Präkursors (Vorgängermolekül) erfolgt. (de)
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- Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (de)
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