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- Der englische Begriff equivalent oxide thickness (EOT, dt. »gleichwertige Oxidschichtdicke«) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Vergleichsgröße einer dünnen Schicht, hauptsächlich von Schichten aus neuartigen High-k-Dielektrika mit Siliciumdioxid, dem Standardgatedielektrikum bei Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs). (de)
- Der englische Begriff equivalent oxide thickness (EOT, dt. »gleichwertige Oxidschichtdicke«) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Vergleichsgröße einer dünnen Schicht, hauptsächlich von Schichten aus neuartigen High-k-Dielektrika mit Siliciumdioxid, dem Standardgatedielektrikum bei Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs). (de)
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- BSIM 4.6.0 MOSFET Model - User’s Manual (de)
- BSIM 4.6.0 MOSFET Model - User’s Manual (de)
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- Mohan V. Dunga, Xuemei Xi, Jin He, Weidong Liu, Kanyu M. Cao, Xiaodong Jin, Jeff J. Ou, Mansun Chan, Ali M. Niknejad, Chenming Hu
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- University of California, Berkeley, Department of Electrical Engineering and Computer Sciences
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- Der englische Begriff equivalent oxide thickness (EOT, dt. »gleichwertige Oxidschichtdicke«) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Vergleichsgröße einer dünnen Schicht, hauptsächlich von Schichten aus neuartigen High-k-Dielektrika mit Siliciumdioxid, dem Standardgatedielektrikum bei Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs). (de)
- Der englische Begriff equivalent oxide thickness (EOT, dt. »gleichwertige Oxidschichtdicke«) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Vergleichsgröße einer dünnen Schicht, hauptsächlich von Schichten aus neuartigen High-k-Dielektrika mit Siliciumdioxid, dem Standardgatedielektrikum bei Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs). (de)
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- Equivalent oxide thickness (de)
- Equivalent oxide thickness (de)
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