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- Der Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt die Änderung der effektiven Basisweite W eines bipolaren Transistors durch die Basis-Kollektor-Spannung UBC, d. h. Ausdehnung der Raumladungszone der Basis-Kollektor-Diode: W = f(UBC). Ein ähnlicher Effekt ist auch in den Kennlinien von Feldeffekttransistoren zu beobachten, die sogenannte Kanallängenmodulation. (de)
- Der Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt die Änderung der effektiven Basisweite W eines bipolaren Transistors durch die Basis-Kollektor-Spannung UBC, d. h. Ausdehnung der Raumladungszone der Basis-Kollektor-Diode: W = f(UBC). Ein ähnlicher Effekt ist auch in den Kennlinien von Feldeffekttransistoren zu beobachten, die sogenannte Kanallängenmodulation. (de)
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- Der Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt die Änderung der effektiven Basisweite W eines bipolaren Transistors durch die Basis-Kollektor-Spannung UBC, d. h. Ausdehnung der Raumladungszone der Basis-Kollektor-Diode: W = f(UBC). Ein ähnlicher Effekt ist auch in den Kennlinien von Feldeffekttransistoren zu beobachten, die sogenannte Kanallängenmodulation. (de)
- Der Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt die Änderung der effektiven Basisweite W eines bipolaren Transistors durch die Basis-Kollektor-Spannung UBC, d. h. Ausdehnung der Raumladungszone der Basis-Kollektor-Diode: W = f(UBC). Ein ähnlicher Effekt ist auch in den Kennlinien von Feldeffekttransistoren zu beobachten, die sogenannte Kanallängenmodulation. (de)
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- Early-Effekt (de)
- Early-Effekt (de)
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