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Unter dem Begriff Silizium-Durchkontaktierung (englisch through-silicon via, TSV) versteht man in der Halbleitertechnik eine meist vertikale elektrische Verbindung aus Metall (engl. vertical interconnect access, VIA) durch ein Silizium-Substrat (Wafer, Chip). Die TSV-Technologie ist eine vielversprechende Möglichkeit zur Realisierung elektrischer Verbindungen zwischen Teilchips bei der 3D-Integration von zukünftigen integrierten Schaltkreisen (IC).
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Vasilis F. Pavlidis, Eby G. Friedman
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In dem Buch finden sich neben anschaulichen Abbildungen zu TSV auch gute Abbildungen zu den anderen 3D-Integrationsverfahren
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Unter dem Begriff Silizium-Durchkontaktierung (englisch through-silicon via, TSV) versteht man in der Halbleitertechnik eine meist vertikale elektrische Verbindung aus Metall (engl. vertical interconnect access, VIA) durch ein Silizium-Substrat (Wafer, Chip). Die TSV-Technologie ist eine vielversprechende Möglichkeit zur Realisierung elektrischer Verbindungen zwischen Teilchips bei der 3D-Integration von zukünftigen integrierten Schaltkreisen (IC).
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