Property |
Value |
dbo:abstract
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- Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kontakt, der das Verhalten eines ohmschen Widerstands zeigt. (de)
- Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kontakt, der das Verhalten eines ohmschen Widerstands zeigt. (de)
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dbo:individualisedGnd
| |
dbo:isbn
|
- 3-11-012605-2
- 978-3-540-85794-5
- 978-3-8265-8825-9
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dbo:originalTitle
|
- Festkörperphysik (de)
- Grundlagen der Elektronik (de)
- Lehrbuch der Experimentalphysik (de)
- Festkörperphysik (de)
- Grundlagen der Elektronik (de)
- Lehrbuch der Experimentalphysik (de)
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dbo:thumbnail
| |
dbo:wikiPageID
| |
dbo:wikiPageRevisionID
| |
prop-de:auflage
|
- 7 (xsd:integer)
- 9 (xsd:integer)
|
prop-de:autor
|
- Harald Ibach, Hans Lüth
- Ludwig Bergmann, Clemens Schaefer, Wilhelm Raith
- Stefan Goßner
|
prop-de:band
| |
prop-de:jahr
|
- 1992 (xsd:integer)
- 2009 (xsd:integer)
- 2016 (xsd:integer)
|
prop-de:titelerg
| |
prop-de:typ
| |
dc:publisher
|
- Shaker
- Springer
- deGruyter
|
dct:subject
| |
rdf:type
| |
rdfs:comment
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- Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kont (de)
- Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kont (de)
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rdfs:label
|
- Schottky-Diode (de)
- Schottky-Diode (de)
|
owl:sameAs
| |
prov:wasDerivedFrom
| |
foaf:depiction
| |
foaf:isPrimaryTopicOf
| |
is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
is dbo:wikiPageRedirects
of | |
is foaf:primaryTopic
of | |