Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kont

Property Value
dbo:abstract
  • Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kontakt, der das Verhalten eines ohmschen Widerstands zeigt. (de)
  • Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kontakt, der das Verhalten eines ohmschen Widerstands zeigt. (de)
dbo:individualisedGnd
  • 4179945-8
dbo:isbn
  • 3-11-012605-2
  • 978-3-540-85794-5
  • 978-3-8265-8825-9
dbo:originalTitle
  • Festkörperphysik (de)
  • Grundlagen der Elektronik (de)
  • Lehrbuch der Experimentalphysik (de)
  • Festkörperphysik (de)
  • Grundlagen der Elektronik (de)
  • Lehrbuch der Experimentalphysik (de)
dbo:thumbnail
dbo:wikiPageID
  • 23045 (xsd:integer)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 156719407 (xsd:integer)
prop-de:auflage
  • 7 (xsd:integer)
  • 9 (xsd:integer)
prop-de:autor
  • Harald Ibach, Hans Lüth
  • Ludwig Bergmann, Clemens Schaefer, Wilhelm Raith
  • Stefan Goßner
prop-de:band
  • Band 6
prop-de:jahr
  • 1992 (xsd:integer)
  • 2009 (xsd:integer)
  • 2016 (xsd:integer)
prop-de:titelerg
  • Festkörper
prop-de:typ
  • s
dc:publisher
  • Shaker
  • Springer
  • deGruyter
dct:subject
rdf:type
rdfs:comment
  • Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kont (de)
  • Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang hat auch die Schottky-Diode gleichrichtenden Charakter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kont (de)
rdfs:label
  • Schottky-Diode (de)
  • Schottky-Diode (de)
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:wikiPageDisambiguates of
is dbo:wikiPageRedirects of
is foaf:primaryTopic of