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- Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT) bzw. Elektronenstrahl-Ionenfalle ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen eingefangen und durch Stöße mit Elektronen, die als Strahl durch die Falle hindurch "geschossen" werden, weiter ionisiert. Die niedriggeladenen Ionen entstehen aus durch den Elektronenstrahl fliegenden Atomen. In einer EBIT können Ionen hoher Ladungszustände erzeugt werden, ohne sie, wie zum Beispiel in Beschleunigern, dazu auf hohe Geschwindigkeiten bringen zu müssen; vielmehr bleiben die Ionen praktisch in Ruhe. Dies erlaubt die Anwendung verschiedener Spektrometrieverfahren zur Untersuchung der unterschiedlichen Zustände. Auch ist dadurch der Aufwand zur Erzeugung der hoch geladenen Ionen im Vergleich zu anderen Methoden relativ gering. In einigen Fällen werden anstelle neutraler Atome niedriggeladene Ionen in die Falle injiziert, die getrennt erzeugt wurden. Eine Electron Beam Ion Source (EBIS, deutsch Elektronenstrahl-Ionenquelle) funktioniert sehr ähnlich, verzichtet aber auf den vollständigen Einfang der Ionen. Die Teilchen werden hier im Durchflug ionisiert und als Ionenstrahl hinausgeführt. Üblicherweise wird in diesem Fall auf eine direkte Sichtverbindung zum Erzeugungsort der Ionen verzichtet, weshalb sich Elektronenstrahl-Ionenquellen nicht zur Spektroskopie eignen. (de)
- Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT) bzw. Elektronenstrahl-Ionenfalle ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen eingefangen und durch Stöße mit Elektronen, die als Strahl durch die Falle hindurch "geschossen" werden, weiter ionisiert. Die niedriggeladenen Ionen entstehen aus durch den Elektronenstrahl fliegenden Atomen. In einer EBIT können Ionen hoher Ladungszustände erzeugt werden, ohne sie, wie zum Beispiel in Beschleunigern, dazu auf hohe Geschwindigkeiten bringen zu müssen; vielmehr bleiben die Ionen praktisch in Ruhe. Dies erlaubt die Anwendung verschiedener Spektrometrieverfahren zur Untersuchung der unterschiedlichen Zustände. Auch ist dadurch der Aufwand zur Erzeugung der hoch geladenen Ionen im Vergleich zu anderen Methoden relativ gering. In einigen Fällen werden anstelle neutraler Atome niedriggeladene Ionen in die Falle injiziert, die getrennt erzeugt wurden. Eine Electron Beam Ion Source (EBIS, deutsch Elektronenstrahl-Ionenquelle) funktioniert sehr ähnlich, verzichtet aber auf den vollständigen Einfang der Ionen. Die Teilchen werden hier im Durchflug ionisiert und als Ionenstrahl hinausgeführt. Üblicherweise wird in diesem Fall auf eine direkte Sichtverbindung zum Erzeugungsort der Ionen verzichtet, weshalb sich Elektronenstrahl-Ionenquellen nicht zur Spektroskopie eignen. (de)
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- Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT) bzw. Elektronenstrahl-Ionenfalle ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen eingefangen und durch Stöße mit Elektronen, die als Strahl durch die Falle hindurch "geschossen" werden, weiter ionisiert. Die niedriggeladenen Ionen entstehen aus durch den Elektronenstrahl fliegenden Atomen. (de)
- Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT) bzw. Elektronenstrahl-Ionenfalle ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen eingefangen und durch Stöße mit Elektronen, die als Strahl durch die Falle hindurch "geschossen" werden, weiter ionisiert. Die niedriggeladenen Ionen entstehen aus durch den Elektronenstrahl fliegenden Atomen. (de)
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- Electron Beam Ion Trap (de)
- Electron Beam Ion Trap (de)
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