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- Electron backscatter diffraction (EBSD) oder Elektronenrückstreubeugung ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann. EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende Primärelektronenstrahl inelastisch an den Atomen der Probe streut und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die Bragg-Bedingung erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver Interferenz. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: electron backscatter pattern, EBSP, auch Kikuchi-Pattern) alle Winkelbeziehungen im Kristall und somit auch die Kristallsymmetrie beinhaltet. Das so entstehende Beugungsbild wird mit Hilfe eines Phosphorschirms aufgenommen. Die Nutzung der hohen örtlichen Auflösung von Elektronenmikroskopen (~10 nm) und die automatisierte Bildauswertung mit Hilfe von Computern ermöglicht die ortsaufgelöste Ermittlung (Mapping) der Kristallsymmetrien (Kristallstruktur) und deren Ausrichtung (Kristallorientierung), sowie mit entsprechender Software und hochauflösender Detektion die Analyse von Materialverspannungen (Strain-Analyse). (de)
- Electron backscatter diffraction (EBSD) oder Elektronenrückstreubeugung ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann. EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende Primärelektronenstrahl inelastisch an den Atomen der Probe streut und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die Bragg-Bedingung erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver Interferenz. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: electron backscatter pattern, EBSP, auch Kikuchi-Pattern) alle Winkelbeziehungen im Kristall und somit auch die Kristallsymmetrie beinhaltet. Das so entstehende Beugungsbild wird mit Hilfe eines Phosphorschirms aufgenommen. Die Nutzung der hohen örtlichen Auflösung von Elektronenmikroskopen (~10 nm) und die automatisierte Bildauswertung mit Hilfe von Computern ermöglicht die ortsaufgelöste Ermittlung (Mapping) der Kristallsymmetrien (Kristallstruktur) und deren Ausrichtung (Kristallorientierung), sowie mit entsprechender Software und hochauflösender Detektion die Analyse von Materialverspannungen (Strain-Analyse). (de)
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- Electron backscatter diffraction (EBSD) oder Elektronenrückstreubeugung ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann. EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende Primärelektronenstrahl inelastisch an den Atomen der Probe streut und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die Bragg-Bedingung erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver Interferenz. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: electron backscatter patt (de)
- Electron backscatter diffraction (EBSD) oder Elektronenrückstreubeugung ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann. EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende Primärelektronenstrahl inelastisch an den Atomen der Probe streut und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die Bragg-Bedingung erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver Interferenz. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: electron backscatter patt (de)
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- Electron Backscatter Diffraction (de)
- Electron Backscatter Diffraction (de)
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