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- Der Burstein-Moss-Effekt ist ein quantenmechanischer Effekt, der in entarteten Halbleitern auftritt. Er beschreibt, wie es bei Halbleitern mit sehr hoher Dotierung zu einer Vergrößerung der effektiven Bandlücke kommt, die sich bei der optischen Spektroskopie in einer Verschiebung der Absorptionskante als Funktion der Ladungsträgerdichte äußert, daher auch als Burstein-Moss-Verschiebung bezeichnet. Der Effekt wurde ursprünglich an Indiumantimonid (InSb) von Elias Burstein und Trevor S. Moss unabhängig voneinander beschrieben. (de)
- Der Burstein-Moss-Effekt ist ein quantenmechanischer Effekt, der in entarteten Halbleitern auftritt. Er beschreibt, wie es bei Halbleitern mit sehr hoher Dotierung zu einer Vergrößerung der effektiven Bandlücke kommt, die sich bei der optischen Spektroskopie in einer Verschiebung der Absorptionskante als Funktion der Ladungsträgerdichte äußert, daher auch als Burstein-Moss-Verschiebung bezeichnet. Der Effekt wurde ursprünglich an Indiumantimonid (InSb) von Elias Burstein und Trevor S. Moss unabhängig voneinander beschrieben. (de)
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- Modellierung des Elektronentransports in Verbindungshalbleiterlegierungen
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- Der Burstein-Moss-Effekt ist ein quantenmechanischer Effekt, der in entarteten Halbleitern auftritt. Er beschreibt, wie es bei Halbleitern mit sehr hoher Dotierung zu einer Vergrößerung der effektiven Bandlücke kommt, die sich bei der optischen Spektroskopie in einer Verschiebung der Absorptionskante als Funktion der Ladungsträgerdichte äußert, daher auch als Burstein-Moss-Verschiebung bezeichnet. Der Effekt wurde ursprünglich an Indiumantimonid (InSb) von Elias Burstein und Trevor S. Moss unabhängig voneinander beschrieben. (de)
- Der Burstein-Moss-Effekt ist ein quantenmechanischer Effekt, der in entarteten Halbleitern auftritt. Er beschreibt, wie es bei Halbleitern mit sehr hoher Dotierung zu einer Vergrößerung der effektiven Bandlücke kommt, die sich bei der optischen Spektroskopie in einer Verschiebung der Absorptionskante als Funktion der Ladungsträgerdichte äußert, daher auch als Burstein-Moss-Verschiebung bezeichnet. Der Effekt wurde ursprünglich an Indiumantimonid (InSb) von Elias Burstein und Trevor S. Moss unabhängig voneinander beschrieben. (de)
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- Burstein-Moss-Effekt (de)
- Burstein-Moss-Effekt (de)
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